3D FeNAND 기반 Compute-in-Memory용 인터페이스 회로 설계
Interface Circuit Design for 3D FeNAND-Based Compute-in-Memory Applications
- 주제(키워드) Compute-in-Memory , 3D FeNAND , 인터페이스 회로 , 고전압 드라이버
- 발행기관 아주대학교 일반대학원
- 지도교수 지동우
- 발행년도 2026
- 학위수여년월 2026. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 지능형반도체공학과
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/ajou/000000035848
- 본문언어 한국어
- 저작권 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
초록/요약
메모리 내 연산(Compute-in-Memory, CIM) 기술은 고속 및 저전력 인공지능 연산을 구현하기 위한 유망한 해결책으로 주목받고 있다. 다양한 메모리 기술 중 FeFET 은 다중 레벨 동작, 고집적화, CMOS 공정 호 환성과 같은 여러 장점을 제공하여 CIM 응용에 적합한 특성을 가진다. 본 논문에서는 CIM 시스템을 위해 고전압(HV) 드라이버, 소스라인(SL) 드라이버, 워드라인(WL) MUX IP를 통합한 확장 가능한 3D FeNAND 어레이 인터페이스 회로를 제안한다. 제안된 회로는 넓은 메모리 윈도우를 위한 고전압 구동과 저전압 CMOS 회로와의 신뢰할 수 있는 인터페이스를 모두 지원한다. HV 드라이버, SL 드라이버, 그리고 WL MUX IP는 각각 디지털 제어가 가능한 넓은 전압 범위 생성, 초저전류 센싱, 빠른 워드라인 전압 전환 특성을 보여주어 CIM 동작에 적합하다. 인터페이스 칩은 180 nm BCD 공정으로 제작되었으며, CIM 프로토타입 동작을 위한 standby, erase, program, read 신호를 생성하여 8x3 3D FeNAND 어레이를 구동할 수 있음을 측정을 통해 검증하였다. 주제어 ― Compute-in-Memory (CIM), 3D FeNAND array, 인터페이스 회로, 고전압 드라이버, 소스라인 드라이버(SourceLine Driver), 워드라인 드라이버(WordLine Driver), 곱셈-누적 연산(Multiply-and- Acccmulate, MAC)
more목차
Ⅰ 서론 1
Ⅱ 본론 5
1. 제안하는 3D FeNAND 어레이 인터페이스 회로 5
1.1. 전체 도식 및 핵심 회로 5
1.2. 고전압 드라이버 (HV Driver) 설계 8
1.3. 소스라인 드라이버(SL Driver) 설계 15
1.4. 워드라인 멀티플렉서(WL MUX) 설계 19
2. 측정 결과 24
Ⅲ 결론 34
참고문헌 35
Abstract 39
