원자층 증착법으로 성장된 위상 바일 준금속, TaP의 비저항 역행 특성 연구
- 주제(키워드) Topological Semimetal , Atomic Layer Deposition , TaP , Surface Conduction , Resistivity
- 발행기관 아주대학교 일반대학원
- 지도교수 오일권
- 발행년도 2025
- 학위수여년월 2025. 8
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 지능형반도체공학과
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/ajou/000000035298
- 본문언어 한국어
- 저작권 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
목차
제 1장 연구 배경 1
제 1절 기존 금속을 대체할 차세대 배선 물질의 필요성 1
제 2절 차세대 배선 물질 위상 준금속 2
제 3절 기보고된 위상 준금속의 실험적 사례 4
제 4절 위상 준금속의 원자층 증착 공정의 필요성 18
제 2장 원자층 증착을 통한 위상 준금속, TaP의 성장 특성 19
제 1절 서론 19
제 2절 실험 방법 20
제 3절 결과 및 논의 24
제 4절 결론 35
제 3장 원자층 증착을 통한 위상 준금속, TaP의 전기적 특성 36
제 1절 서론 36
제 2절 실험 방법 37
제 3절 결과 및 논의 39
제 4절 결론 50
제 4장 요약 52
참고 문헌 53
연구 실적 57
Abstract in English 58
