반도체 PECVD 공정 장비에서 발생되는 RF 플라즈마 아킹 고장 사례 분석
Failure analysis of RF Plasma Arcing in a semiconductor PECVD process Equipment
- 주제(키워드) PECVD , RF전력시스템
- 주제(DDC) 621
- 발행기관 아주대학교 IT융합대학원
- 지도교수 이교범
- 발행년도 2025
- 학위수여년월 2025. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 IT융합대학원 IT융합공학과
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/ajou/000000034747
- 본문언어 한국어
- 저작권 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
초록/요약
본 논문에서는 반도체 PECVD 공정 장비에서 발생하는 플라즈마 공정 아킹현상 에 관련된 RF 전력시스템의 고장사례를 분석한다. PECVD는 RF 전력으로 플라즈 마를 생성하여 웨이퍼에 박막을 증착하는 공정이다. PECVD 장비는 RF 발전기와 임피던스 정합기, 공정 챔버를 동축 케이블과 E-CAT 케이블로 연결하여 증착공 정 시스템을 구성한다. 반도체 소자기술의 발전에 따라 성능에 부합하는 다양한 박 막 특성이 요구된다. RF 전력시스템은 여러 박막 종류에 따른 플라즈마 생성 조건 과 반응속도, 챔버 임피던스에 맞는 복잡한 RF 전력 인가가 필요하다. 따라서 RF 전력시스템의 아킹 빈도가 증가한다. PECVD 공정 장비에서 RF 전력시스템의 아 킹 고장 진단 향상을 위하여 다양한 사례를 확인하고 전력 임피던스 및 출력 데이 터 경향성 분석방법을 검증한다.
more목차
제 1 장 서론 1
제 2 장 PECVD 장비 3
2.1 PECVD 공정 3
2.2 PECVD 공정 챔버 유형 4
2.3 RF 플라즈마 쉬스 5
2.4 CCP 유형의 PECVD 챔버 구조 6
2.5 RF 발전기 7
2.6 RF 임피던스 정합기 9
제 3 장 RF 플라즈마 아킹 사례 분석 12
3.1 PECVD 장비의 RF 플라즈마 아킹 12
3.2 샤워헤드 아킹 결함사례 13
3.3 세라믹 라이너의 아킹 결함사례 18
3.4 RF 정합기 아킹 결함 사례 22
제 4 장 RF 전력시스템 아킹 진단 26
4.1 RF 전력시스템의 아킹 결함에 관한 유형 분류 26
4.2 RF 전력시스템 아킹 진단을 위한 최적 정비방안 29
제 5 장 결 론 30
참고문헌 31
Abstaract 33
