O2 Plasma을 이용한 ALD SEAM 제어 식각 방법
ALD SEAM Using O2 Plasma Control Etching Method
- 주제(키워드) O2 Plasma , ALD SEAM
- 주제(DDC) 621
- 발행기관 아주대학교
- 지도교수 오일권
- 발행년도 2023
- 학위수여년월 2023. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 IT융합대학원 IT융합공학과
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/ajou/000000032648
- 본문언어 한국어
- 저작권 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
초록/요약
본 논문에서는 반도체 소자 중 Vertical NADN flash memory 제조 공정 중 Channel- hole의 일부분인 Etch back공정에서의 etching을 효율 개선을 하기 위해서 실험으로 연구를 진행하였다. Channel hole내부를 채우는 Oxide는 ALD(atomic layer deposition: ALD)증착 방법으로 만든다. Channel hole내부에 oxide막질 성장 시 사용하는 gas로 트리스-디멜틸아미-노 실란(TDMAS)사용하는데, 증착 후 wafer표면은 소수성 특정을 가지게 된다. 이런 소수성 특성으로 etching시 wafer표면 etching gas흡착하는데 방해하는 요소로 작용한다. 본 연구에서 O2 Plasma를 이용하여 wafer표면을 소수성에서 친수성으로 변화하여 etching gas의 흡착을 증대 시켜 etch rate효율이 개선되는 것으로 예상하였으며, 개선 효과는 HDP(high-density plasma chemical vapor deposition: HDP)oxide와 ALD(atomic layer deposition: ALD)oxide를 이용하여 스펙트로 포토미터(spectro-photometer)로 측정하였으며. 그리고 실제 소자 제품으로 SEM(scanning electron microscope: SEM)로 연구 결과를 확인하였다. 본 연구를 통해 다른 gas를 사용하는 etching에서 널리 작용될 수 있을 것으로 기대된다.
more목차
제 1 장. 서 론 1
1.1 Vertical NAND Flash발전 과 SEAM 불량 1
제 2 장. 이론적 배경 3
2.1 ALD oxide deposition 3
2.2 SEAM 생선 현상 4
2.3 Dry etching 5
2.4 RF Remote plasma 6
2.5 Si wafer surface특성 7
제 3 장. 실험 방법 및 측정 방법 9
3.1 실험 방법 9
3.2 Etch rate 측정 방법 12
3.3 Pre-process조건 평가 13
3.4 ALD oxide 표면 분석 16
3.5 ALD oxide 표면 변화 분석 21
제 4 장. 제품 평가 24
4.1 검증 방법 24
4.2 제품 적용 결과 25
제 5 장. 결 론 33
참 고 문 헌 34
