반도체 세정공정에서의 정전기 제어
Electrostatic Control in Semiconductor Wet Cleaning Process
- 주제(키워드) 세정공정 , Cleaning , 정전기 , Electrostatic , Static Electricity
- 발행기관 아주대학교
- 지도교수 장 중순
- 발행년도 2014
- 학위수여년월 2014. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 산업대학원 산업시스템공학과
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/ajou/000000016801
- 본문언어 한국어
- 저작권 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
초록/요약
반도체 제조공정에서는 웨이퍼(Wafer) 표면에 오염 물질이나 미세한 이물질(Particle)들이 회로구성을 방해하거나 금속배선을 단락시켜 제품수율을 저하시키므로, 이를 효과적으로 제거하기 위해 수백 개의 단위공정 전후에 필수적으로 진행되는 것이 바로 세정공정(Cleaning Process)이다. 이러한 세정공정은 초고순도 약품과 초순수(DIW)를 반복적으로 처리하는 과정뿐만 아니라, 웨이퍼와 설비의 접촉면에서의 정전기 발생은 필연적이다. 이렇게 발생한 정전기는, 반도체 소자가 형성된 웨이퍼에 순간적으로 방전(Electrostatic Discharge, ESD)되면서 금속배선을 녹이거나 열화를 가속시켜, 반도체 소자가 내장된 제품이나 시스템의 성능과 신뢰성에 직접적인 영향을 주고 있다. 따라서 본 연구에서는 정전기 발생 메커니즘과 정전기 발생을 억제하는 각종 제어기술을 통해, 반도체 세정공정에서의 정전기 발생 요인과 이를 효과적으로 제어할 수 있는 다양한 제어방안들을 제시하고자 한다.
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논문 요약
Abstract
표 목차
그림 목차
제Ⅰ장. 서 론 1
1.1절 연구의 목적 및 배경 1
1.2절 연구의 내용 및 범위 5
제Ⅱ장. 기존문헌의 고찰 6
2.1절 연구 동향 6
2.2절 일반적인 정전기 7
2.2.1 정전기 발생 7
2.2.2 정전기 대전 9
2.2.3 정전기 방전 12
2.3절 정전기 재해 13
2.3.1 정전유도와 쿨롱의 법칙 13
2.3.2 이물질 (Particle)의 부착 15
2.3.3 반도체 소자에 미치는 영향 16
2.4절 정전기 방지 및 제어 20
2.4.1 설비의 접지 20
2.4.2 전도성 물질 23
2.4.3 이오나이저（Ionizer) 24
2.4.4 대전방지 용품 27
2.4.5 인체 및 환경 28
제Ⅲ장. 반도체 세정공정에서의 정전기 발생 30
3.1절 반도체 세정공정 30
3.1.1 웨이퍼의 오염 31
3.1.2 세정공정의 필요성 32
3.2절 세정공정에서의 정전기 34
3.2.1 정전기 발생 메커니즘 34
3.2.2 이오나이저의 역 대전 38
3.2.3 초순수 (DIW)에 의한 정전기 40
3.2.4 반송부에서의 정전기 41
3.2.5 프로세스 챔버에서의 정전기 43
3.3절 현재의 제어대책 44
3.3.1 설비의 접지 44
3.3.2 이오나이저의 적용 47
제Ⅳ장. 반도체 세정공정에서의 정전기 제어방안 49
4.1절 세정공정에서의 정전기 제어방안 49
4.1.1 정전기 실험 및 제어방안 49
4.1.2 CO₂ Water의 사용 52
4.1.3 Chuck Pin의 전도성 물질 적용 56
4.2절 기존 제어대책의 보완 63
4.2.1 설비접지의 보완 및 관리 63
4.2.2 이오나이저의 유지관리 65
제Ⅴ장. 결론 68
참고 문헌 70
