MOCVD를 이용한 GaN, AlGaN, InGaN 및 SnO2 박막의 증착메커니즘과 속도식
Mechanisms and kinetics for the deposition of GaN, AlGaN, InGaN, and SnO2 films using MOCVD
- 주제(키워드) MOCVD , GaN , AlGaN , InGaN , SnO2 , deposition kinetics , deposition mechanism
- 발행기관 아주대학교
- 지도교수 김창구
- 발행년도 2013
- 학위수여년월 2013. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 에너지시스템학부
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/ajou/000000014072
- 본문언어 한국어
- 저작권 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
목차
1. 서론 1
1.1 화학기상증착(CVD) 1
1.2 유기금속 화학기상증착(MOCVD) 3
1.3 MOCVD 박막 증착 단계 4
1.4 증착 반응의 온도의존성 및 증착속도식 7
1.5 연구 목적 13
2. MOCVD를 이용한 GaN, AlGaN, InGaN 박막증착 15
2.1 서론 15
2.1.1 연구배경 15
2.1.2 연구목적 20
2.2 실험 22
2.2.1 GaN, AlGaN, InGaN 박막 증착을 위한MOCVD 시스템 22
2.2.2 실험조건 및 분석방법 24
2.3 실험 결과 26
2.3.1 GaN 증착속도 26
2.3.2 AlGaN 증착속도 28
2.3.3 InGaN 증착속도 30
2.4 토의 32
2.4.1 GaN 증착 메커니즘 32
2.4.2 AlGaN 증착 메커니즘 49
2.4.3 InGaN 증착 메커니즘 62
2.5 결론 75
3. MOCVD를 이용한 SnO2 박막 증착 77
3.1 서론 77
3.1.1 연구배경 77
3.1.2 연구목적 79
3.2 실험 80
3.2.1 SnO2 박막 증착을 위한 MOCVD 시스템 80
3.2.2 실험조건 및 분석방법 82
3.3 실험 결과 84
3.3.1 DBT 와 O2 분압 변화에 대한 SnO2 증착속도 84
3.3.2 온도 변화에 대한 SnO2 증착속도 87
3.4 토의 89
3.4.1 SnO2 증착 메커니즘 89
3.5 결론 103
4. 결론 104
