청색 발광 다이오드의 초기 열화과정에서 나타나는 전류성분과 내부 양자효율의 변화
Changes in the Current Components and Internal
- 주제(키워드) 청색발광다이오드 , 내부양자효율
- 발행기관 아주대학교
- 지도교수 김상배
- 발행년도 2012
- 학위수여년월 2012. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 전자공학과
- 파일정보 doc.
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/ajou/000000012266
- 본문언어 한국어
- 저작권 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
초록/요약
발광 다이오드는 전기적 에너지를 빛 에너지로 변환하여 출력 하는 소자이다. 그러므로 주어진 동작 전류에서 일정한 광출력을 유지하는 것이 매우 중요하다. 그러나 초기 동작에서 청색 발광 다이오드의 광출력은 시간에 따라 여러 형태로 변화한다. 광출력이 증가하면서 정상상태에 이르기도 하고, 줄어들면서 정상상태에 이르기도 하며, 소자에 따라서는 줄어들다가 다시 늘어나면서 또는 그 반대의 과정을 거쳐 정상상태에 이르기도 한다. 이러한 초기 상태에서의 불안정성은 발광 다이오드의 실제 응용에서 매우 큰 장애 요소이다. 그리고 이 불안정성의 양상은 동작전류에 따라 다르게 나타나 사용자들을 어려움에 빠뜨린다. 기본적으로 이 불안정성은 다이오드에 흐르는 여러 전류 성분이 동작시간에 따라 다른 상대 속도로 변화하면서 나타나는 현상이기 때문에 이 문제를 정확히 이해하려면 동작 시간에 따른 다이오드 전류성분 분석이 필수적이다.
more목차
제 1 장 서론 ••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••1p
제 2 장 이론적 배경 ••••••••••••••••••••••••••••••••••••4p
제 1절 Epitaxy •••••••••••••••••••••••••••••••••••••7p
제 2절 Quantum Efficiency ••••••••••••••••••••••••••8p
제 3 장 청색 발광 다이오드의 초기 열화과정에서 나타나는 전류성분 특성 화••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••10p
제 1절 실험 방법 •••••••••••••••••••••••••••••••••••••10p
제 2절 전기적 분석 •••••••••••••••••••••••••••••••••••11p
제 3절 실험 결과 •••••••••••••••••••••••••••••••••••••13p
제 4절 요약 ••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••28p
제 4 장 청색 발광 다이오드의 초기 열화과정에서 나타나는 내부양자효변화•••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••29p
제 1절 실험 방법 •••••••••••••••••••••••••••••••••••••29p
제 2절 Internal Quantum efficiencncy •••••••••••••••••30p
제 3절 실험 결과 •••••••••••••••••••••••••••••••••••••32p
제 4절 요약 •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••37p
참고 문헌 ••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••38p
목차
그 림 차 례
Fig 1.1 Appear predominantly in the form of a sequential representation of the Forward Current was divided •••••2p
Fig 2.1 Parabolic electron and hole dispersion relations showing "vertical"electron-hole recombination and photon emission •••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••4p
Fig 2.2. AlGaN electron blocking layer in an AlGaN/GaN/
GaInN multiquantum well structure.•••••••••••••••••••••6p
Fig 2.3. Structure of InGaN MQW LED•••••••••••••••••••7p
Fig 2.4. Droop phenomenon of Internal Quantum Efficiency•••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••••9pFig 3.1 Electrical and Optical parameter analysis system
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Fig 3.2 Equivalent Circuit of Blue Light-Emitting Diode••12p
Fig 3.3 Light-emitting diode current-voltage characteristics and output power - voltage characteristics change in time
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Fig 3.4 Light-emitting diode current componential analysis result by operating time••••••••••••••••••••••••••••••14p
Fig 3.5 Graph of dL/dI—I from Simulation••••••••••••••25p
Fig 3.6 Series Ohmic resistance graph o f I (dV/dI)-I•••26p
Fig 4.1 Electrical and Optical parameter analysis system
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Fig 4.2. The Outline of Light-Emitting Diodes for Light
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Fig 4.3 Changes in Internal Quantum Efficiency of Light-Emitting Diodes in the Initial Stage of Aging •••••••••••32p
Fig 4.4 Changes in portion of current components in Initial Stage of Aging ••36p
