MOCVD를 이용한 Enhancement 타입의 ZnO Thin-film Transistor 연구
Enhancement Mode ZnO Thin-film Transistor Grown by MOCVD
- 주제(키워드) MOCVD , TFT , ZnO
- 발행기관 아주대학교
- 지도교수 조중열
- 발행년도 2009
- 학위수여년월 2009. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 전자공학과
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/ajou/000000009440
- 본문언어 한국어
- 저작권 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
초록/요약
본 논문에서는 상용화에 용이한 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)방법으로 ZnO 박막 성장 시 조건을 변화하여 defect를 감소시키고 결과적으로 positive 문턱전압 값을 가지는 enhancement type의 ZnO TFT를 만들었다. 추가로 P-type ZnO 개발을 위해 5족 원소(P, N ,As)와 Mg(magnesium)를 포함하는 물질(P2O5, N2O, GaAs, CPMg)를 불순물로 첨가하여 acceptor로의 작용 여부를 확인하였다.
more목차
제 Ⅰ 장 서 론
제 Ⅱ 장 본 론
제 1 절. ZnO 박막 성장 및 ZnO-TFT 제작
제 2 절. Growth Interruption 방법을 이용한 ZnO 성장
제 3 절. P-type ZnO TFT를 위한 불순물 연구
제 1 항. P2O5를 불순물 공급원으로 사용한 ZnO TFT
제 2 항. N2O를 불순물 공급원으로 사용한 ZnO TFT
제 3 항. GaAs를 불순물 공급원으로 사용한 ZnO TFT
제 4 항. CPMg를 불순물 공급원으로 사용한 ZnO TFT
제 Ⅲ 장 결 론
