비아 전이 구조로 인한 차폐 효율의 변화 원인 분석
Cause Analysis on The Change of Shielding Effectiveness due to Via Transition Structure
- 주제(키워드) via transition , Shielding effectiveness
- 발행기관 아주대학교
- 지도교수 감동근
- 발행년도 2019
- 학위수여년월 2019. 2
- 학위명 석사
- 학과 및 전공 일반대학원 전자공학과
- 실제URI http://www.dcollection.net/handler/ajou/000000028946
- 본문언어 한국어
- 저작권 아주대학교 논문은 저작권에 의해 보호받습니다.
초록/요약
모바일 기기 내 부품간의 간섭(RFI)를 방지하기 위해 주요 칩은 대개 쉴드캔으로 차폐한다. 쉴드캔을 통해 IC에서 복사성 방출로 인한 잡음을 차폐할 수 있지만, 쉴드캔과 연결된 그라운드 비아와 쉴드캔 내부에서 밖으로 빠져나오기 위해 신호라인과 연결된 비아로 인해 신호가 전력접지망으로 누설되는 것은 막을 수 없다. 기존 연구에서는 신호 비아로 인한 차폐효율의 변화에 대해서 문제를 제기하였다. 본 논문에서는 이를 분석하기위해 일반적인 IC 상황에서의 잡음원 차폐효율의 변화를 분석하였고, 전력접지망에 직접 잡음원을 주었을 때 비아 구조와의 잡음 결합 현상을 관찰하 분석하였다. 이를 비아 구조에서 바라본 전력 접지망의 임피던스를 등가적으로 모델링한 결과와 비교하여 그 원인이 해당 임피던스의 공진이며, 이로인해 비아와 전력 접지망의 누설이 줄어들기 때문이라는 것을 분석하였다.
more목차
제 1 장 서론 1
1.1 연구배경 1
1.2 연구내용 3
1.3 논문구성 3
제 2 장 일반적인 IC에서의 차폐효율 측정 4
2.1 IEC 61967-2 (TEM Cell Method) 4
2.2 TEM boundary 4
2.3 시뮬레이션 모델 6
2.3.1 일반적인 IC에서의 방출 모델 6
2.3.2 전체 구조 7
2.4 결과 분석 9
제 3 장 차폐효율의 변화 원인 분석 11
3.1 SSN Coupling 11
3.2 시뮬레이션 모델 12
3.2.1 전력접지망을 통한 잡음원 모델 12
3.2.2 시간 영역 시뮬레이션 14
3.2.3 GND 비아의 영향 17
3.3 Parallel Plane Impedance 19
3.4 결과 비교 분석 20
3.4.1 S41과 Zpp의 결과 비교 20
3.4.2 비아 위치에 따른 변화 비교 23
제 4 장 결론 25
참고문헌 26
Abstract 27
